솔루션 개요

가장 기본적인 수준에서 보면, 반도체 설계는 바로 트랜지스터입니다. 대형 마이크로프로세서 또는 모바일 AP에 관련된 보고서에는 포함된 트랜지스터의 수가 언급되어 있습니다. 무어의 법칙은 가장 경제적인 트랜지스터 제조 방식입니다. 지난 10년 그리고 향후 전망되는 공정 세대는 변형 실리콘, Hi-K 메탈 게이트, FinFET, FD-SOI, 실리콘 나노튜브, 탄소 나노튜브, 스핀트로닉스 등 새로운 트랜지스터 유형에 따라 나눠집니다. SoC 외에 메모리 아키텍처는 트랜지스터, 딥 트렌치 DRAM, 버티컬 플래쉬와 관련이 있습니다. 고전압 파워 디바이스는 SiC, GaN 같은 신소재로 전환되고 있습니다.

시스템은 몇 개의 트랜지스터를 포함한 셀을 서로 연결하여 구축되며, 점차 더 높은 수준에서 더 많은 시스템이 설계되고 있습니다. 그러나 전자 소자의 기초는 트랜지스터를 만들고, 모델링하며, 시스템을 구성할 수 있는 기본적인 블록을 구축하는 것입니다. 실바코는 트랜지스터에 초점을 맞춘 회사입니다.

트랜지스터는 공정에서 시작합니다. TCAD (Technology CAD)는 공정 레시피에 따라 트랜지스터를 구성하고, 만들어진 트랜지스터를 분석하여 원하는 특성을 점차 충족하는 방법입니다. TCAD 모델은 설계에 바로 사용하기에는 너무 느리고 어렵기 때문에, 모델 추출 단계가 필요합니다. 이를 통해 수많은 TCAD 특성 추출 결과를 합하여 시뮬레이션, 변동 분석 및 PDK에 사용할 수 있는 SPICE 모델을 생성하며, 보다 규모가 큰 설계에 활용합니다.

다음 단계는 기존의 아날로그 (또는 커스텀 디지털) 플로우입니다. 이는 대용량 레이아웃 편집기(일부 셀은 작지만, 메모리나 FPD는 대규모), 기생 성분을 정밀하게 얻기 위한 풀 3D 필드 기반 추출 툴, 그리고 정확한 SPICE 회로 시뮬레이션으로 구성됩니다. SPICE 시뮬레이션은 TCAD (또는 실리콘 특성)에서 모델을 가져와서 일반적인 성능 데이터를 생성합니다.

다음 단계로 올라가면, 전체 전력 무결성 분석에 대한 요구가 발생합니다.: 저항에 의한 전류 강하 (IR drop), electromigration (EM) 및 열의 영향 (트랜지스터 작동에 의한 발열). 우주 또는 항공 전자 기기처럼 극단적인 환경의 경우, 시간 경과에 따라 방사선량에 의해 싱글-이벤트 효과 및 임계전압 드리프트가 더해질 수도 있습니다.

TCAD, SPICE, Signoff에 이르는 트랜지스터 레벨의 설계 자동화 툴은 고도의 집중과 주의를 요하는 전문 영역입니다. 실바코는 업계에서 트랜지스터 레벨 툴을 선도하고 있습니다. 회사의 인력, 지식 자산, 고객 자산을 통해 새로운 공정/소자를 시작할 때부터 트랜지스터 레벨에 전적으로 집중할 수 있습니다. 대규모 시스템을 설계하기 위해서는 무엇보다 기초가 되는 트랜지스터가 완벽해야 합니다.

이러한 트랜지스터 기술을 이용하여 광범위한 분야에 솔루션을 제공할 수 있습니다. 실바코의 제품이 사용되는 주요 영역은 다음과 같습니다:

  • 디스플레이: TFT, LCD, OLED, MicroLED, AMOLED
  • 전력 (고전압/고전류) 소자: DMOS, IGBT, SiC, GaN
  • 광 소자: CCD, CIS and Laser, Solar Cell
  • 신뢰성 검증: 소프트 오류 신뢰도 (SEE), 방사선 (총 입사량), 에이징 (NBTI, HCI)
  • 첨단 CMOS 공정 개발: FinFET, FDSOI, 3D NAND Flash
  • 아날로그, 고속 I/O, 전력 IC 설계: PLL, ADC, SERDES, Switching regulators
  • 파운데이션 라이브러리 및 메모리 설계: Standard Cell, SRAM, DRAM, Flash

Library Memory Design Analog HSIO Advanced Process Optical
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