Leti-NSP 모델을 이용한 수직 적층 나노시트의 Utmost IV 모델 추출 플로우

Leti-NSP는 최신 멀티 게이트 MOSFET를 위한 혁신적인 모델입니다. 이 모델은 수직 적층 또는 수직 채널 나노시트/나노와이어 및 FinFET와 같은 최첨단 소자를 다룹니다. 본 웹 세미나에서는 이 모델을 기반으로 수직 적층 나노시트에 대한 파라미터 추출 방법을 제시합니다. 추출 플로우는 실바코 Utmost IV 모델링 소프트웨어에서 구현하였습니다. 추출 과정을 단계별로 설명하고, Utmost IV에서 구현된 특징을 중점적으로 소개할 것입니다. Verilog-A 버전의 모델과 실바코 SmartSpice 회로 시뮬레이터에 내장된 모델 구현에 대해 다룹니다.

내용

  • Leti-NSP 모델을 이용하여, 수직 적층 나노시트에 대한 SPICE 모델 파라미터 추출
  • Utmost IV에서 구현한 추출 플로우를 단계적으로 표현
  • Verilog-A 및 Leti-NSP 모델의 내장 버전을 비교

발표

Dr. Bogdan Tudor Bogdan Tudor 박사는 실바코 소자 특성화 그룹의 책임자로서, R&D, 현업 운영 및 모델링 서비스를 포함한 소자 특성화 그룹의 모든 부문을 책임지고 있습니다. Tudor 박사는 EDA 및 SPICE 모델링 분야에서 15년 이상 경험을 쌓았으며, 소자 특성화, 컴팩트 모델 개발, MOSFET 노화 신뢰성 분석 및 소프트웨어 개발에 대한 광범위한 전문 지식을 보유하고 있습니다. Tudor 박사는 루마니아 부쿠레슈티에 있는 폴리테크닉 대학에서 전기공학 석사와 박사 학위를 취득하였습니다.


참석 대상

나노시트 같은 최신 MOSFET 소자의 SPICE 모델링 방법론, Verilog-A 기반 모델 추출, SPICE 모델 추출 및 최적화에 관심있는 엔지니어, 경영진 및 학자